华澜微亮相2020全球闪存峰会

2020年7月30日

      刚刚过去的2020年6月，美国权威科技媒体CIO Review评选了在HPC(High Performance Computing高性能计算)领域最富有潜力的20大企业，两家中国企业入列,它们是“华澜微电子”(SageMicro)和澜起科技（Montage）。

      本次峰会特别邀请了华澜微董事长、杭州电子科技大学微电子研究中心主任骆建军教授就存储控制器发展趋势发表《固态硬盘控制器芯片关键技术发展简析》的主题演讲。

       固态存储控制器的发展挑战上，遇到的问题包括：

       1. 数据量的爆发式增长用户在有限体积下的更大容量存储的需求；

       2. 高性能计算和人工智能（AI）等应用对数据读写速度的需求；

       3. 对存储系统可靠性要求不断提高，但闪存技术不断发展带来的可靠性降低，是闪存控制器技术发展的矛盾和挑战；

       4. 数据高安全性防护，要求存储控制器提供片上集成的高效加/解密功能，成为刚需。

       针对这些市场需求和技术演进，骆总分别做了全面的诠释：

       一是在底层架构方面，华澜微很早就拥有了异构多核SoC架构的存储控制器的中国与美国相应专利，该架构通过多核间的进程协调、总线竞争、多任务和分布式管理技术，解决了存储传输速度、缓存、全局映射、闪存通道速度的高效平衡等问题。华澜微已在此基础上实现了更小面积存储控制器上实现更大容量存储应用，研制成功多颗存储控制器，在全球发展了众多用户，产品得到了批量规模化应用；

      二是在闪存控制器内部实现了特色的eRAID®技术，通过eRAID® 技术不仅解决了速度问题，还解决了数据存储可靠性问题；此外，映射表的“复眼“保护技术，也是很好针对数据存储高可靠性的解决方案；

      三是通过全球首创性引入MRAM介质，来解决多年来没有解决的老问题，即因为异常掉电引起的DRAM缓存数据可靠性问题，华澜微在MRAM介质上的创新应用，彻底解决了存储产品的掉电可靠性问题和性能问题的矛盾，为全球存储控制器研发厂商打开了解决掉电保护问题、提高产品速度的另一扇门；

      四是进一步提高闪存纠错算法技术，闪存介质技术从原有的2D工艺发展到3D，层数堆叠越来越高，从32层发展到目前的92层，96层，128层……，从SLC到MLC、TLC、QLC、PLC……，纠错算法也从原来的BCH发展到了LDPC，但这并不能满足存储速度的不断发展和闪存技术发展之间带来的矛盾，华澜微通过研发新的纠错算法，将更好的解决闪存纠错问题，突破存储速度瓶颈；

      五是通过在存储控制器上实现主动防卫技术和数据加解密引擎技术，在不占用主机CPU的计算和内存资源的前提下，即可实现对传统病毒检测和木马侵袭的防护，防止对存储数据的非法读写，解决存储数据泄密问题；也可以提供基本的边缘计算功能。

      六是在存储控制器发展中，需要在更好解决高速串行接口协议层技术方面的难题，只有从更底层去解决这一基础问题，存储控制器才能发展的更好。这个方面国内一些厂家缺少包括接口物理层和协议层的IP积累，依赖于海外授权。华澜微积累了全系列从USB、SATA、PCIE的IP核，可以和大家分享这些方面的成果，携手共赢。

      骆总在总结中提到，存储控制器技术是大数据、云存储技术的硬科技和基础，是彻底解决存储卡脖子技术难题的重要环节，存储控制器技术需要多年持之以恒的技术积累，更需要存储产业界不断的推动和应用，华澜微有幸被“CIO Review“评为2019年度和本年度HPC（High Performance Computing高性能计算）的国内代表企业。华澜微希望在应用大潮中能与众多国内外优秀同行业一起前进，能有更多的国内同行能够和华澜微并肩作战，实现更好的中国存储美好未来。

      此外，华澜微技术市场副总裁廖安仁先生作为“控制芯片闪存论坛”特邀出品人领衔豪华嘉宾阵容也出席了本次会议。

      廖安仁副总裁作为“控制芯片闪存论坛”的特邀出品人，分别从固态存储接口带宽、闪存颗粒容量、应用端这三个角度阐述了闪存芯片的发展。他认为在大数据时代，因人类需求而生的应用越来越复杂，对计算的需求越来越多，带来存储产业有无限的驱动力和无限想象的闪存趋势。同时他也邀请了三位全球主流的闪存控制器芯片供应商，分别从不同的技术角度，就闪存芯片的现况分析及闪存的发展趋势预测进行了分享，并受到现场网友的广泛关注和认同。