喜报：半导体四大技术入选国家科学技术奖励

2021年11月04日

以下内容转自"芯思想Chiplnsights"

2021年11月3日，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行。

半导体业界有四项入选，分别是：

2020年度国家技术发明奖二等奖

高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用：孙伟锋（东南大学）、刘斯扬（东南大学）、祝靖（东南大学）、苏巍（无锡华润上华科技有限公司）、易扬波（无锡芯朋微电子股份有限公司）、朱袁正（无锡新洁能股份有限公司）

2020年度国家技术发明奖二等奖

超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用：姚力军（宁波江丰电子材料股份有限公司）、刘庆（重庆大学）、王学泽（宁波江丰电子材料股份有限公司）、周友平（宁波江丰电子材料股份有限公司）、袁海军（宁波江丰电子材料股份有限公司）、边逸军（宁波江丰电子材料股份有限公司）

2020年度国家科学技术进步一等奖

高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺：主要完成单位有华中科技大学、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、江苏长电科技股份有限公司、通富微电子股份有限公司、华天科技（昆山）电子有限公司、苏州旭创科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、香港应用科技研究院有限公司、武汉大学，主要完成人有刘胜、石磊、肖智轶、刘圣、明雪飞、史训清、于大全、罗乐、史海涛、刘丰满、朱福龙、潘国顺、刘聪、郑怀、李辉

2020年度国家科学技术进步二等奖

固态存储控制器芯片关键技术及产业化：主要完成单位有杭州电子科技大学，杭州华澜微电子股份有限公司，中国电子科技集团公司第五十八研究所，清华大学，西安奇维科技有限公司，西京学院；主要完成人有骆建军，樊凌雁，楼向雄，周昱，张春，刘海銮，刘升，方景龙，周斌，王祖良